-
1 double-heterostructure laser
Большой англо-русский и русско-английский словарь > double-heterostructure laser
-
2 double-heterostructure laser
Англо-русский словарь технических терминов > double-heterostructure laser
-
3 double-heterostructure laser
лазер на двойной гетероструктуре, лазер на двойном гетеропереходе, лазер с двойной гетероструктуройEnglish-russian dictionary of physics > double-heterostructure laser
-
4 double-heterojunction laser
English-Russian dictionary of electronics > double-heterojunction laser
-
5 double-heterostructure laser
English-Russian dictionary of electronics > double-heterostructure laser
-
6 double-heterojunction laser
2) Электроника: лазер на двойной гетероструктуреУниверсальный англо-русский словарь > double-heterojunction laser
-
7 double-heterostructure laser
1) Техника: лазер на двойной гетероструктуре2) Электроника: лазер на двойном гетеропереходеУниверсальный англо-русский словарь > double-heterostructure laser
-
8 DHL
1. double-heterojunction laser - лазер на двойном гетеропереходе;2. double-heterostructure laser - лазер на двойной гетероструктуре -
9 double-heterojunction laser
= double-heterostructure laser лазер на двойном гетеропереходе, лазер на двойной гетероструктуреEnglish-Russian electronics dictionary > double-heterojunction laser
-
10 double-heterojunction laser
= double-heterostructure laser лазер на двойном гетеропереходе, лазер на двойной гетероструктуреThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > double-heterojunction laser
-
11 гетеропереход
ГетеропереходКонтакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов. -
12 heterojunction
ГетеропереходКонтакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе GaAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями AlGaAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.
См. также в других словарях:
История изобретения лазеров — 1917 А. Эйнштейн представляет концепцию вынужденного излучения 1920 И. Франк и Ф. Райхе подтвердили существование метастабильных состояний в возбужденном состоянии 1927 Поль Дирак создает квантовую теорию вынужденного излучения 1928 Р. Ладенбург… … Википедия
Гетеропереход — GaAs/AlGaAs Гетеропереход контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах ( … Википедия
гетеропереход — Heterojunction Гетеропереход Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
heterojunction — Heterojunction Гетеропереход Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
Лазерный диод — Лазерный диод полупроводниковый лазер, построенный на базе диода. Его работа основана на возникновении инверсии населённостей в области p n перехода при инжекции носителей заряда.[1][2] Содержание 1 П … Википедия